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           大功率LED燈珠的晶片的主要技術參數
          
        
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        • 來源：本站　作者：匿名　發(fā)布：2021-11-26 18:58:16 隸屬：行業(yè)新聞
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        • 晶片的主要技術參數： 

          A、晶片的伏安特性圖： 

          B、順向電壓（VF）：施加在晶片兩端，使晶片正向導通的電壓。此電壓與晶片本身和測試電流存在相應的關系。VF過大，會使晶片被擊穿。 

          C、順向電流（IF）：晶片在施加一定電壓后，所產生的正向導通電流。IF的大小，與順向電壓的大小有關。晶片的工作電流在10-20mA左右。 

          D、逆向電壓（VR）：施加在晶片上的反向電壓。 

          E、逆向電流（IR）：是指晶片在施加反向電壓后，所產生的一個漏電流。此電流越小越好。因為電流大了容易造成晶片被反向擊穿。 

          F、亮度（IV）：指光源的明亮程度。 

          G、單位換算：1cd=1000mcd、波長：反映晶片的發(fā)光顏色。不同波長的晶片其發(fā)光顏色也就不同。單位：nm。 

          H、光：是電磁波的一種。波長在0.1mm-10nm之電磁波稱為光。光可分為：波長大于0.1mm稱為電波；760nm-0.1nm叫紅外光;380nm-760nm叫可見光; 10nm-380nm叫紫外光；波長小于10nm的是X線光。 
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